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场效应MOS管SSP7N60B参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSP7N60B是一款具备高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。以下是其应用场景和参数特点的详细说明。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SSP7N60B在开关电源中有广泛的应用,特别是在AC-DC转换器和DC-DC转换器中。其高电压耐受能力和低导通电阻使其能够高效地处理高电压和大电流转换,提升电源效率。

    2. 照明系统:在LED驱动电路中,SSP7N60B被广泛使用。它能够有效地调节电流,从而实现稳定的LED亮度输出,同时其高效能和低功耗特性也有助于延长照明系统的使用寿命。

    3. 电机驱动:SSP7N60B在电机驱动应用中也表现出色,特别是在电动工具和家电中的小型电机驱动。其快速开关能力和耐高压特性使其能够提供稳定的驱动电流,确保电机平稳运行。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,SSP7N60B被用作主要的功率开关元件。其高可靠性和耐高压特性确保了UPS系统在断电情况下能够迅速响应并提供持续的电力供应。

    5. 电池管理系统(BMS):在锂电池管理系统中,SSP7N60B用于控制充电和放电过程。其高效的电流控制和低漏电流特性有助于提高电池的使用效率和安全性。

    二、参数特点:

    - 耐高压能力:SSP7N60B具有600V的击穿电压,这使其适合用于处理高压应用,如开关电源和电机驱动。

    - 低导通电阻:其导通电阻(R_DS(on))在10Ω以下,这显著降低了功率损耗,提高了整体系统的效率。

    - 快速开关速度:SSP7N60B的开关速度非常快,能够在纳秒级时间内完成开关动作,这对于高频开关电路非常重要,能够有效减少开关损耗。

    - 高电流处理能力:其最大连续漏极电流(I_D)可达7A,使其能够处理大电流应用,如电机驱动和电池管理系统。

    - 热稳定性:SSP7N60B具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作,最大结温(T_J)可达150°C,确保其在高温应用中的可靠性。

    综上所述,SSP7N60B凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为众多高效能电子设备中的关键元件。在实际应用中,选择合适的SSP7N60B型号能够显著提升系统的整体性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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