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场效应MOS管SSP7N60A参数

PD最大耗散功率:147WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSP7N60A是一款常见的功率MOSFET,广泛应用于电力电子和工业控制等多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SSP7N60A通常用于开关电源中,以实现高效的电能转换。由于其低导通电阻和高耐压特性,该MOSFET可以在高频率下运行,从而提高电源效率和减小散热需求。

    2. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,SSP7N60A被用来转换直流电为交流电。其高击穿电压和低导通损耗使其非常适合在这些高功率应用中使用,确保系统稳定性和效率。

    3. 电动机驱动:SSP7N60A也用于工业电动机控制系统中,特别是在需要高效率和快速开关的情况下。其高速度开关特性能够精确控制电动机的速度和扭矩。

    4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,SSP7N60A用于电池充放电控制。其高耐压特性可以保护电池组免受过压损害,同时其低导通电阻可以提高系统的整体效率。

    5. 消费电子:SSP7N60A也用于各种消费电子产品中,如笔记本电脑电源适配器、LED照明等。其高效能和高可靠性使其成为这些应用中理想的选择。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压( Vds):SSP7N60A的击穿电压高达600V,这使得它非常适合高压应用场景,如工业控制和电力电子设备。这一高耐压特性确保了MOSFET在高压环境下的可靠性和安全性。

    - 低导通电阻(Rds(on):其典型导通电阻仅为1.2Ω,这意味着在导通状态下的功耗较低,有助于提高整个系统的效率并减少散热需求。这一特点在高效能转换和电源管理中尤为重要。

    - 高脉冲电流能力(Id):SSP7N60A可以承受高达24A的脉冲电流,这使其在需要处理瞬时高电流的应用中表现出色,如电动机启动和电源突发负载变化。

    - 快速开关速度:SSP7N60A具有快速的开关速度,通常在纳秒级别。这种快速开关特性使其非常适合高频应用,如开关电源和逆变器,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热稳定性:该器件的热阻较低,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。这一特点在需要长时间高负荷运行的工业应用中尤为重要,保证了系统的稳定性和可靠性。

    综上所述,SSP7N60A作为一款高性能的功率MOSFET,凭借其高击穿电压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度和优秀的热稳定性,广泛应用于各类电力电子和工业控制领域。这些特点使得SSP7N60A在实际应用中表现出色,能够满足各种高要求的使用环境。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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