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场效应MOS管SSP4N60B参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSP4N60B是一种N沟道增强型功率MOSFET,具有高压、高可靠性的特点,广泛应用于以下几个领域:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在各种开关电源设计中,SSP4N60B常被用作开关元件。其高耐压和低导通电阻特性,使其能有效提升电源转换效率,减少热量产生。

    2. 电动工具:由于其高耐压和大电流能力,SSP4N60B在电动工具中作为主要开关器件,能够保证工具的可靠性和耐用性。

    3. LED驱动器:在LED照明应用中,SSP4N60B可用于恒流源电路,确保LED灯具的稳定工作,并提高能效。

    4. 不间断电源(UPS):UPS系统需要高可靠性的功率器件来维持电力供应的连续性,SSP4N60B凭借其出色的电气性能成为了理想的选择。

    5. 工业控制:在工业自动化控制系统中,SSP4N60B被广泛应用于电机驱动、继电器控制等场合,确保系统的高效运行和稳定性。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:SSP4N60B的漏源极耐压为600V,使其能够在高压环境下稳定工作,不易击穿。

    - 低导通电阻:其最大导通电阻仅为4Ω(典型值),这意味着在导通状态下能量损失较小,提高了整体效率。

    - 高电流能力:该器件的最大连续漏极电流为4A,能够承受较大的电流负载,适用于需要大电流的应用场合。

    - 快速开关速度:SSP4N60B具备快速的开关特性,其开关时间短,有助于提高电路的响应速度和工作频率。

    - 热特性优越:该器件具有较好的热阻特性,结-壳热阻为2.5°C/W,能有效散热,保证器件在高温环境下稳定运行。

    - 封装类型:SSP4N60B采用TO-220封装,这种封装方式具有优良的散热性能和机械强度,便于安装和使用。

    综上所述,SSP4N60B凭借其高耐压、低导通电阻、高电流能力和优越的热特性,在开关电源、电动工具、LED驱动器、不间断电源和工业控制等领域中发挥了重要作用。这些特性使得SSP4N60B在各类高要求的电力电子应用中具备了不可替代的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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