PD最大耗散功率:176WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.065ΩVRDS(ON)ld通态电流:17.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理:SSP45N20B在电源转换器和稳压电路中,作为开关元件,用于高效地控制电流流动,确保电源的稳定性和效率。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合高功率电源的应用。
2. 电动机驱动:在电动机控制电路中,SSP45N20B作为开关器件能够有效地控制电动机的启停和调速,广泛用于电动工具、电动汽车和其他电动设备中。其高电流和高电压承受能力保证了电动机的平稳运行。
3. 功率放大器:在音频功率放大器和射频放大器中,SSP45N20B可以用作功率开关,提供所需的高功率输出。这种MOSFET的高开关速度和高耐压能力使其在高频应用中表现优异。
4. 照明控制:在LED灯具和其他照明系统中,SSP45N20B被用作开关器件以调节光源的亮度和开关状态。其低功耗和高效率特性提升了照明系统的整体性能和可靠性。
5. 电池管理系统:SSP45N20B也被广泛应用于电池管理系统中,以监控和控制电池的充放电过程。其高电流和高耐压性能确保了电池管理系统的稳定运行和安全性。
二、参数特点:
- 最大漏极-源极电压(Vds):SSP45N20B能承受最高达200V的漏极-源极电压,这使得它可以用于高电压的电源应用中。
- 最大漏极电流(Id):该MOSFET最大漏极电流为45A,适合处理较大电流的应用场景,确保了在高负载条件下的可靠性和稳定性。
- 导通电阻(Rds(on)):SSP45N20B具有较低的导通电阻,通常在0.06Ω左右,这意味着在工作时功耗低,效率高,适合用于高效能的电源管理。
- 开关速度:该MOSFET具有较快的开关速度,能够在高频应用中保持稳定的性能。开关速度的提升有助于减小开关损耗,提高电路的工作效率。
- 封装形式:SSP45N20B通常采用TO-220封装,这种封装形式提供了良好的散热性能和方便的安装方式,适合在各种电子设备中使用。
综上所述,SSP45N20B是一款功能强大且应用广泛的MOSFET,其优异的电气性能使其在多个领域中都能发挥重要作用。
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