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场效应MOS管SSP45N20A参数

PD最大耗散功率:176WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.065ΩVRDS(ON)ld通态电流:17.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSP45N20A是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于高功率开关电源、逆变器和电动汽车充电器等领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SSP45N20A用于高效转换电能,提升电源效率并减少能量损耗。

    2. 逆变器:其高耐压和大电流处理能力使其成为逆变器中的理想选择,确保设备在高压和高电流环境下的稳定运行。

    3. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,SSP45N20A帮助提升充电效率和稳定性,确保电动汽车能够快速、安全地完成充电过程。

    4. 电机驱动器:在电机驱动器中,SSP45N20A提供了可靠的电源转换和控制。

    5. 工业控制设备和UPS:在工业控制设备和不间断电源系统(UPS)中,SSP45N20A凭借其优异的性能表现,提供了可靠的电源转换和控制。

    二、参数特点:

    - 耐压高:SSP45N20A的漏源极耐压(Vds)高达200V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于各种需要高耐压的电源设备。

    - 导通电阻低:其导通电阻(Rds(on))极低,典型值为0.022Ω,这意味着在导通状态下,SSP45N20A能够以极低的功率损耗传输大电流,提升整体电路效率。

    - 大电流处理能力:SSP45N20A的最大连续漏极电流(Id)可达45A,能够处理大电流负载,适用于高功率应用场景。

    - 开关速度快:该器件具有快速的开关特性,极短的开关时间(例如:上升时间tr和下降时间tf分别为20ns和10ns),能够实现高频率的开关操作,提升电源转换效率。

    - 热性能优越:SSP45N20A具备良好的热性能,热阻低,能够在高功率条件下保持较低的结温,确保器件的可靠性和寿命。

    综上所述,SSP45N20A凭借其高耐压、低导通电阻、大电流处理能力、快速开关速度和优越的热性能,成为各种高功率电源转换和控制设备中的理想选择。无论是在开关电源、逆变器还是电动汽车充电器中,SSP45N20A都展现出了卓越的性能,确保设备的高效、安全和稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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