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场效应MOS管SSP1N50B参数

PD最大耗散功率:36WID最大漏源电流:1.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:520VRDS(ON)Ω内阻:5.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSP1N50B是一种高压功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。由于其具有较高的耐压和出色的开关性能,以下是其主要应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,SSP1N50B用于实现高效的电能转换。其高频开关特性能够显著提高电源的效率和可靠性,适用于PC电源、服务器电源等需要高效能和稳定输出的场合。

    2. 逆变器:在太阳能光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,SSP1N50B作为开关元件,可以提高整个系统的转换效率。其耐高压和高开关速度特点,保证了在高功率环境下的稳定运行。

    3. 电动工具:在电动工具中,SSP1N50B被用作电机控制器。其高效能和快速响应能力,使得电动工具在各种工况下都能稳定工作,并提高整体性能。

    4. 电动汽车:在电动汽车的电控单元(ECU)中,SSP1N50B用于驱动电机和控制充放电过程。其高可靠性和高效能,确保了电动汽车在复杂道路条件下的稳定行驶。

    5. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,SSP1N50B被用于各种电机驱动和控制电路。其高耐压和高效能特点,确保了设备在长时间高负荷运转中的稳定性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 耐压高:SSP1N50B具有高达500V的耐压能力,适用于高电压应用场景,能够有效防止电压击穿,提高设备的安全性。

    - 低导通电阻:其低导通电阻特性,确保了在高电流通过时,功耗较低,提高了整体电路的效率。这一特性特别适用于需要高效能转换的电力电子设备。

    - 快速开关速度:SSP1N50B具有快速的开关速度,能够在高频应用中提供优异的性能。这一特点在开关电源和逆变器应用中尤为重要,能够显著提高设备的转换效率。

    - 高可靠性:SSP1N50B的设计考虑了长时间工作的稳定性,具有出色的热稳定性和抗击穿能力,确保在各种复杂环境下的可靠运行。

    - 封装形式:SSP1N50B采用标准的TO-220封装,便于安装和散热管理,适用于多种电路设计需求,提供了良好的机械性能和电气性能。

    通过以上特点,SSP1N50B成为众多电力电子应用中的理想选择,广泛应用于各种需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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