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场效应MOS管SSH8N80参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSH8N80是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电力电子设备中。它具有高耐压、高电流能力和低导通电阻等特点,能够在高效能和高可靠性方面提供卓越的表现。以下详细说明SSH8N80的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SSH8N80常用于开关电源的主开关元件。由于其高耐压(800V)和低导通电阻(0.8Ω),它能有效地提高开关效率,减少能量损耗,使电源更加节能高效。

    2. 电动机控制:在电动机控制电路中,SSH8N80作为开关元件,可以高效地控制电动机的启停和调速。其高耐压特性确保在高电压环境下的稳定运行,而高电流能力(8A)则能够满足电动机高负载需求。

    3. 照明控制系统:SSH8N80在LED照明驱动电路中发挥重要作用。它的快速开关速度和低导通电阻特性,有助于实现高效的电能转换,从而延长LED灯具的使用寿命和提高其能效。

    4. 不间断电源:在UPS系统中,SSH8N80用于电池管理和逆变器控制。其高耐压和高电流能力,确保在电源转换过程中提供可靠的性能,保障电力供应的连续性和稳定性。

    5. 电力变换器:SSH8N80常应用于各种电力变换器中,如DC-DC变换器和AC-DC变换器。其高耐压和低导通电阻,使得变换器在高效能转换和低热损耗方面表现优异,提升整体系统的性能和可靠性。

    二、参数特点:

    - 耐压(Vds):800V:SSH8N80的最大漏源极电压(Vds)为800V,能够承受高电压环境下的工作需求。这使得它在高压应用场景中具有广泛的适用性,确保设备在严苛条件下的可靠运行。

    - 导通电阻(Rds(on)):0.8Ω:SSH8N80具有极低的导通电阻(Rds(on)),仅为0.8Ω。这一特性显著降低了导通损耗,提高了整体电路的效率,并减少了发热量,有助于延长器件的使用寿命。

    - 电流能力(Id):8A:SSH8N80的最大漏极电流(Id)为8A,能够处理大电流应用。这使其在需要高电流处理能力的电路中表现出色,适用于电动机控制和电力变换器等领域。

    - 栅极阈值电压(Vgs(th)):2-4V:SSH8N80的栅极阈值电压范围为2到4V,使得其能够在较低的栅极驱动电压下可靠导通。这一特点提高了设计灵活性,简化了驱动电路的设计。

    - 输入电容(Ciss):1250pF:SSH8N80具有较低的输入电容(Ciss),为1250pF。这一参数有助于提升开关速度,减少开关损耗,使其在高频应用中同样表现出色。

    综上所述,SSH8N80是一款性能优越的功率MOSFET,在开关电源、电动机控制、照明控制、不间断电源和电力变换器等应用中,因其高耐压、高电流能力和低导通电阻等特点,而成为理想的选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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