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场效应MOS管SSH7N60B参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:7.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.65AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSH7N60B是一种高效的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):SSH7N60B常用于开关电源中,特别是在适配器、充电器和计算机电源供应器等设备中。其高压耐受性和低导通电阻使其在高频开关应用中表现出色。

    2. 照明控制:在LED驱动电路和其他照明控制系统中,SSH7N60B提供了高效的电力转换和稳定的电流输出。这使得灯具能够在不同电压环境下稳定工作,并且提高了能效。

    3. 电机驱动:SSH7N60B在电机控制和驱动应用中也非常常见。其高开关速度和低损耗特点使其适用于需要快速响应和高效能的电机控制系统,如电动工具和家电中的电机驱动电路。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,SSH7N60B用于DC-AC转换部分,提供了高效的能量转换。其高电压和电流承受能力使其能够处理高功率负载。

    5. 工业自动化:SSH7N60B也被广泛应用于工业自动化设备中,如PLC、变频器等。其高可靠性和稳定性保障了设备在恶劣环境下的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高电压耐受性:SSH7N60B的漏源极电压(V_DS)最大值为600V,这使其适用于高压应用场景,如工业设备和电力转换系统。

    - 低导通电阻:SSH7N60B的导通电阻(R_DS(on))较低,通常在1.2Ω左右。这意味着在开关状态下的功率损耗较小,提升了整体系统的效率。

    - 高开关速度:SSH7N60B具备快速的开关速度,其栅极电荷(Q_g)约为35nC,这使得其在高频率的开关电路中表现优异,能够有效减少开关损耗。

    - 良好的热性能:SSH7N60B的结电容和热阻较低,这有助于在高功率应用中散热,保持元件的稳定运行。其最大结温(T_J)可达150°C,适应高温工作环境。

    - 高可靠性:SSH7N60B具备过流、过温保护等功能,增强了其在各种复杂应用环境中的可靠性。这些保护功能能够有效防止因过载或异常情况导致的损坏,延长设备使用寿命。

    综上所述,SSH7N60B凭借其高电压耐受性、低导通电阻、高开关速度、良好的热性能和高可靠性,广泛应用于开关电源、照明控制、电机驱动、逆变器和工业自动化等多个领域。其优异的性能使其成为电力电子设备中的重要元件,为各种电源管理和控制系统提供了高效可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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