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场效应MOS管SSH10N80A参数

PD最大耗散功率:280WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.95ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SSH10N80A是一款常见的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在电子和电气工程领域有着广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):SSH10N80A常用于开关电源中的主开关器件。它能够在高频开关状态下高效工作,帮助提升电源的整体效率。其高耐压特性使其适用于多种高压输入场合,确保电源的稳定输出。

    2. 逆变器:在逆变器中,SSH10N80A用作功率转换的关键组件,特别是太阳能和风能系统中的逆变器。其高效率和快速开关能力,使其在转换过程中能量损失最小化,从而提高整体系统的性能。

    3. 电动汽车:SSH10N80A在电动汽车的电源管理系统中有重要应用,尤其是在电池管理系统和驱动电机控制中。它能够处理高电压和大电流,确保电动汽车运行的可靠性和安全性。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,SSH10N80A常用于电机驱动和控制系统。其高功率处理能力和可靠的性能,使其能够应对复杂的工业环境需求。

    5. 照明系统:SSH10N80A在现代LED照明系统中也有广泛应用,特别是在高效节能的LED驱动电路中。它的高效率和稳定性能,帮助实现照明系统的低功耗和长寿命。

    二、参数特点:

    - 高耐压性:SSH10N80A具有800V的漏源极电压(Vds),这使其能够在高压环境下稳定工作,非常适合需要高耐压的应用场景,如电源管理和工业控制系统。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))非常低,仅为1.1Ω(典型值),这意味着在开通状态下电流通过MOSFET时的损耗较小,提高了整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:SSH10N80A的脉冲漏极电流(Id)可以高达40A,使其能够应对短时高电流的冲击,适用于需要处理大电流的应用场景。

    - 快速开关速度:其开关速度非常快,能够实现快速的开通和关断,从而在高频应用中表现优异。这一特性对于开关电源和逆变器等高频应用尤其重要。

    - 低栅极电荷:SSH10N80A具有较低的栅极电荷(Qg),典型值为44nC。这意味着在开关过程中所需的驱动功率较低,从而提高了效率,减少了控制电路的复杂性和功耗。

    综上所述,SSH10N80A凭借其高耐压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度和低栅极电荷等优良参数,成为许多电子和电气应用中不可或缺的关键组件。其广泛的应用场景和卓越的性能,使其在市场上享有良好的声誉和广泛的认可。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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