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场效应MOS管SFP9Z34参数

PD最大耗散功率:82WID最大漏源电流:-18AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:-7AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    SFP9Z34是一款常见的P沟道增强型场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:SFP9Z34常用于电源开关和电源管理电路中。例如,在DC-DC转换器中,它可以作为开关元件,用于提高效率和稳定性。

    2. 负载开关:在需要高效控制电流的场合,例如LED照明控制、电机驱动等,SFP9Z34可以通过简单的驱动电路实现负载的开关控制。

    3. 信号放大:SFP9Z34还可以用于低频信号放大电路中,尤其在音频放大器和射频放大器中,利用其高输入阻抗和低输出阻抗的特点,实现高增益的信号放大。

    4. 保护电路:在一些保护电路中,SFP9Z34可以作为过流保护或过压保护元件,及时切断电路以防止元件损坏。

    5. 逆变器电路:在逆变器电路中,SFP9Z34可用于控制交流输出的开关元件,利用其快速开关特性,提高逆变器的工作效率和输出稳定性。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):SFP9Z34的最大漏源电压为-60V,这意味着它可以承受高达60伏的电压差,适用于需要较高电压控制的电路。

    - 漏极电流(Id):其最大漏极电流为-3.6A,使其能够处理较大电流,适用于驱动大功率负载的场合。

    - 栅极阈值电压(Vgs(th)):SFP9Z34的栅极阈值电压在-1V到-3V之间,较低的阈值电压意味着它可以在较低的驱动电压下开启,适合低电压控制应用。

    - 导通电阻(Rds(on):其导通电阻非常低,典型值为0.1欧姆。这使得SFP9Z34在开通过程中损耗小,效率高,有助于减少电路中的功耗。

    - 热阻(RθJA):SFP9Z34的结到环境热阻为62.5℃/W,具有较好的散热性能,确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    综上所述,SFP9Z34由于其高电压、高电流、低导通电阻和良好的散热性能,广泛应用于电源管理、负载开关、信号放大、保护电路和逆变器电路等场景,是一款性能优异的P沟道增强型场效应管。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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