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场效应MOS管RU1HL13L参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-13AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:-8AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.5~-2.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    RU1HL13L是一种场效应MOS管,常用于各种电子设备和电路中,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:RU1HL13L常用于电源管理电路中,例如电源开关、电源逆变器等。其低导通电阻和高频特性使其适用于高效率的电源管理系统。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,RU1HL13L可作为电机驱动器件,用于控制电机的启停和速度调节。其低导通电阻和高速开关特性有助于提高电机控制系统的效率和响应速度。

    3. LED驱动:LED照明系统中常使用RU1HL13L作为LED驱动器件,用于控制LED的亮度和开关。其高速开关和稳定的性能能够确保LED照明系统的稳定性和可靠性。

    4. 消费电子产品:RU1HL13L也广泛应用于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、数码相机等,用于功率管理、电池充放电控制等方面。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:RU1HL13L具有较低的导通电阻,能够在导通状态下实现较小的功耗和热耗,提高系统的能效。

    2. 高频特性:由于RU1HL13L具有优秀的高频特性,因此在高频开关电路中表现出色,适用于需要快速开关的场合。

    3. 良好的温度稳定性:RU1HL13L具有良好的温度稳定性,即使在高温环境下,其性能也能保持稳定,适用于各种工作环境。

    4. 可靠性高:作为一种高性能的场效应MOS管,RU1HL13L具有较高的可靠性和长寿命,能够满足工业级和商业级应用的需求。

    5. 丰富的保护功能:RU1HL13L还具有丰富的保护功能,包括过流保护、过温保护、过压保护等,能够保护整个系统免受损坏。

    通过对RU1HL13L的应用场景和参数特点的了解,我们可以更好地选择和设计电子电路,以满足不同领域的需求,并提高系统的性能和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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