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场效应MOS管RFP70N06参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.014ΩVRDS(ON)ld通态电流:70AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    RFP70N06是一款常见的N沟道场效应管,具有广泛的应用场景和优秀的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:RFP70N06常用于电源管理领域。由于其低导通电阻和高耐压特性,适合用作电源开关器件,能够提供稳定可靠的电源转换功能。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,RFP70N06可作为电机控制的功率开关,用于驱动直流电机、步进电机等,实现精确控制和高效能输出。

    3. 汽车电子系统:RFP70N06还广泛应用于汽车电子系统中,如电动汽车的电源管理、充电桩的功率控制等,其高耐压和高频特性使其在汽车电子领域具有重要地位。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):RFP70N06具有较低的导通电阻,能够有效减小功率开关器件的导通损耗,提高系统的效率。

    2. 高耐压特性:RFP70N06能够承受较高的漏电压,保证在高压环境下稳定可靠地工作,适用于各种高压应用场景。

    3. 高频特性:RFP70N06具有优秀的高频响应特性,适合在高频开关电源等应用中使用,能够实现快速的开关操作,提高系统的响应速度和效率。

    4. 低门电荷(Qg):RFP70N06的门电荷较低,能够降低开关时的功率损耗和开关时间,提高系统的稳定性和效率。

    5. 低开关损耗:由于其低导通电阻和低门电荷,RFP70N06在开关过程中能够降低功率损耗,减少系统能量损失,提高整体效率。

    综上所述,RFP70N06作为一款性能优异的场效应管,在电源管理、电机驱动、汽车电子等领域具有广泛的应用前景和优秀的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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