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场效应MOS管RFD3055LE参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.107ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    RFD3055LE是一种常见的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。由于其出色的电气性能和高效的开关特性,RFD3055LE在以下几个领域中表现尤为突出。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源(SMPS)中,RFD3055LE常用于高效转换和调节电能,尤其是在DC-DC转换器中,通过其快速的开关速度和低导通电阻,实现高效率的电能传输。

    2. 电机驱动:在直流电机和步进电机的驱动电路中,RFD3055LE凭借其强大的电流处理能力和低导通损耗,确保电机能够稳定、快速地响应控制信号,广泛应用于工业自动化设备和机器人技术中。

    3. 消费电子:在电视机、电脑和智能家居设备等消费电子产品中,RFD3055LE被用于功率控制和电源管理模块,确保这些设备在不同工作模式下能够高效稳定运行。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,RFD3055LE用于控制电动窗、座椅调节和照明系统等,因其耐高温和高可靠性的特点,能够在汽车严苛的工作环境下长期稳定工作。

    5. 可再生能源:在太阳能和风能发电系统中,RFD3055LE用于逆变器和电池管理系统,帮助实现高效的能量转换和储存,提升可再生能源的利用效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):RFD3055LE具有极低的导通电阻,仅为0.06Ω(典型值),这使其在导通状态下的能量损耗降至最低,从而提高了整个电路的效率。

    - 高电流处理能力:RFD3055LE的连续漏极电流(ID)为12A,脉冲漏极电流(IDM)高达50A,能够处理高电流负载,适用于需要大电流的应用场景。

    - 高击穿电压:RFD3055LE的漏源击穿电压(VDS)为60V,确保其在高压环境下能够可靠工作,适应更广泛的应用需求。

    - 快速开关速度:RFD3055LE的栅极电荷(Qg)较低,仅为20nC,保证了其在开关操作中的快速响应能力,适合高频开关电路应用。

    - 热稳定性好:RFD3055LE的热阻(RθJA)为62.5°C/W,具备优良的热管理特性,能够在高温工作环境中保持稳定的性能。

    综上所述,RFD3055LE凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和良好的热稳定性,在电源管理、电机驱动、消费电子、汽车电子和可再生能源等领域得到了广泛应用,成为电子工程师们的常用器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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