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场效应MOS管RFD15P05SM参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:-15AV(BR)DSS漏源击穿电压:-50VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:-15AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    RFD15P05SM是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中,尤其适用于高效能和高可靠性的需求。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:RFD15P05SM作为开关元件,可以实现高效的电能转换,减少功率损耗,提高电源的整体效率。

    2. 电动工具和电动车:在电动工具和电动车中,RFD15P05SM用于控制电机的开关动作。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够在高功率需求的场景中表现出色。

    3. 逆变器和转换器:在逆变器和DC-DC转换器中,RFD15P05SM可用于高频开关电路,帮助实现稳定的电压输出和高效的能量转换。

    4. 照明系统:在LED照明系统中,RFD15P05SM用于调节LED的电流,确保LED稳定工作,并延长其使用寿命。

    5. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,RFD15P05SM被用于驱动和控制各种执行机构,其快速响应和高可靠性满足了工业环境的严格要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):RFD15P05SM的导通电阻非常低,这意味着在开关过程中损耗的能量较少,提升了整体电路的效率。

    - 高电流承载能力:该器件能够承受高达15A的连续电流,使其适用于需要大电流传输的应用场景。

    - 高击穿电压(VDS):RFD15P05SM的最大漏源电压(VDS)为50V,这使得它能够在较高电压下稳定工作,适应更广泛的电压范围。

    - 快速开关速度:该MOSFET具备快速的开关速度,这对于高频率的应用场景尤为重要,如开关电源和逆变器电路中,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。

    - 增强型设计:RFD15P05SM采用增强型设计,具有优良的热性能和电气性能,能够在高温环境下稳定工作,确保长时间的可靠运行。

    通过以上描述,RFD15P05SM在各种应用场景中展示了其高效能和高可靠性的特点,成为众多电子设备和电路设计中的首选器件。其卓越的参数性能使其在实际应用中具备广泛的适用性,为工程师提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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