收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管RFD14N05L参数

场效应MOS管RFD14N05L参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:50VRDS(ON)Ω内阻:0.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    RFD14N05L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:RFD14N05L在开关电源和DC-DC转换器中表现优异。由于其低导通电阻和快速开关特性,使得电源效率得到显著提高。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,RFD14N05L可以高效控制电机的启动、停止和速度调节。其耐高压和高电流能力使其成为电动工具和电动车辆的理想选择。

    3. 负载开关:RFD14N05L在负载开关应用中也很常见,能够实现高效的负载切换,适用于工业自动化和家用电器中的控制电路。

    4. 逆变器电路:在逆变器应用中,RFD14N05L凭借其优良的开关特性和高耐压能力,能有效提高逆变器的转换效率,广泛用于太阳能发电和不间断电源系统。

    5. 音频放大器:在音频放大器电路中,RFD14N05L的低导通电阻和高线性度可以改善音频信号的质量,提供清晰的音频输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:RFD14N05L的RDS(on)仅为0.045欧姆,这意味着在导通状态下它的电流损耗很低,有助于提高整体电路效率。

    - 高电流处理能力:RFD14N05L能够处理高达14安培的连续电流,这使得它在高功率应用中表现出色,适用于需要处理大电流的设备。

    - 高耐压特性:RFD14N05L的漏源极电压(VDS)额定值为50伏,这使得它可以在较高电压的应用环境中工作,而不会因为电压过高而损坏。

    - 快速开关速度:RFD14N05L具有快速的开关特性,其典型的开关时间为几十纳秒级别,这有助于在高频应用中减少开关损耗,提高电路的效率。

    - 低栅极电荷:RFD14N05L的栅极电荷(Qg)较低,仅为20纳库伦左右,意味着它可以用较小的驱动电流实现快速的开关,适用于高效能驱动电路。

    通过上述详细的应用场景和参数特点的分析,可以看出RFD14N05L是一款性能优越、应用广泛的N沟道功率MOSFET,能够满足各种高效能电子电路的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号