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场效应MOS管QM3003D参数

PD最大耗散功率:34.7WID最大漏源电流:-35AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.02ΩVRDS(ON)ld通态电流:-10AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    QM3003D是一款常见的功率场效应管(MOSFET),在许多电子设备和电路中有着广泛的应用。本文将详细介绍QM3003D的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:QM3003D常被用于开关电源、DC-DC变换器和逆变器等电源管理电路中。其低导通电阻和高开关速度使其在高效率的电源转换中具有良好的性能。

    2. 电机驱动:由于QM3003D具有较高的功率处理能力和低导通电阻,因此常用于直流电机控制和驱动系统中,如电动汽车控制器、无刷直流电机驱动器等。

    3. LED照明:QM3003D的特性使其非常适合用于LED照明驱动电路,能够提供稳定的电流输出,并具有较高的效率和可靠性。

    4. 电源开关:在各种电源开关应用中,包括家用电器、工业设备和汽车电子中,QM3003D能够提供可靠的开关控制,实现高效率和高性能的电源管理。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,QM3003D可用于逆变器电路,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,以供电网或电池充电使用。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:QM3003D具有较低的导通电阻,能够降低功率损耗和提高效率,适用于高功率应用。

    2. 高开关速度:具有快速的开关特性,可实现快速开关和关断,有助于降低开关损耗并提高系统响应速度。

    3. 高温工作能力:QM3003D能够在较高的温度下工作,在一些高温环境或高温应用中表现稳定可靠。

    4. 低阈值电压:具有较低的门极阈值电压,可降低驱动电路的功耗,并提高整体系统的效率。

    5. 可靠性和稳定性:QM3003D经过严格的质量控制和可靠性测试,具有良好的稳定性和长期可靠性,适用于各种工业和商业应用场景。

    QM3003D作为一款性能稳定、应用广泛的功率场效应管,其优异的特性使其在电源管理、电机驱动、LED照明等领域得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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