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场效应MOS管P75N02LDG参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.007ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    P75N02LDG是一种N沟道MOSFET功率场效应晶体管,常用于各种电源管理和功率控制应用中。下面将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:在各类电源开关电路中,P75N02LDG常被用作主要的功率开关元件。它能够在低电压下实现高效的电源管理,使得电路具有更好的性能和稳定性。

    2. 直流电源调节器:由于P75N02LDG具有低导通电阻和快速的开关特性,因此在直流电源调节器中得到广泛应用。它可以帮助调节器实现更高的效率和更精确的输出电压控制。

    3. 电机驱动器:作为功率场效应晶体管,P75N02LDG在电机驱动器中扮演着重要角色。它能够提供足够的功率输出,并具有低损耗和高效率的特点,适用于各种电机控制场景。

    4. LED照明系统:LED照明系统需要稳定的功率供应和高效的电源管理,P75N02LDG可以帮助实现这一目标。它能够在LED驱动电路中提供可靠的功率开关,并确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。

    5. 电源逆变器:在电源逆变器中,P75N02LDG通常被用于开关电路的设计。它能够有效地控制逆变器的输出波形,并且具有较低的开关损耗,提高了逆变器的整体效率。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: P75N02LDG具有较低的导通电阻,这意味着在导通状态下会有更小的功率损耗,提高了整个电路的效率。

    2. 高击穿电压:该器件具有较高的击穿电压,可以在较高的电压下工作,适用于各种高压应用场景,提高了电路的可靠性和稳定性。

    3. 快速开关特性: P75N02LDG具有快速的开关特性,能够迅速地在导通和截止状态之间切换,适用于需要高频操作的电路设计。

    4. 热稳定性:该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下工作,并且不易受到温度变化的影响,保证了电路的长期稳定性。

    5. 可靠性: P75N02LDG经过严格的质量控制和可靠性测试,具有较高的可靠性和长期稳定性,适用于各种工业和商业应用场景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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