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场效应MOS管P3606BD参数

PD最大耗散功率:39WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.047ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1.3~2.3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    P3606BD是一款常用的场效应MOS管,具有广泛的应用场景和独特的参数特点。本文将详细介绍P3606BD的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在各种电源管理应用中,P3606BD广泛用于开关电源、DC-DC转换器和稳压器。它的低导通电阻和高效率使其成为电源管理系统中的理想选择,能够有效地减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电机驱动:P3606BD在电机驱动电路中表现出色,特别适用于直流电机和步进电机的控制。由于其快速开关速度和高电流处理能力,它能够精确控制电机的速度和方向,满足工业自动化和机器人技术的需求。

    3. 消费电子:在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,P3606BD用于电池管理和保护电路。其小型封装和高性能特性,使其能够在空间有限的电子设备中发挥重要作用,提供可靠的电源保护。

    4. LED照明:P3606BD在LED驱动电路中也有广泛应用。其高效的电流控制能力和低损耗特性,能够有效提高LED照明系统的亮度和寿命,适用于各种照明解决方案,包括室内照明和汽车照明。

    5. 通信设备:在无线通信设备和基站中,P3606BD用于功率放大器和信号调节电路。其高频特性和低噪声性能,能够提供稳定的信号传输和高效的功率放大,确保通信设备的可靠性和性能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):P3606BD的导通电阻非常低,通常在0.015Ω左右。这使其在开关状态下的能量损耗极低,提高了电路的整体效率。

    - 漏源电压(Vds):P3606BD的最大漏源电压为60V,适用于各种中低压应用场景。这一参数确保了在不同电压环境下的稳定性能和广泛的应用范围。

    - 最大漏极电流(Id):P3606BD的最大漏极电流为30A,能够处理大电流应用。这一特性使其在需要高电流驱动的场景中表现优异,如电机控制和电源管理。

    - 栅极电荷(Qg):P3606BD的栅极电荷较低,约为45nC。这意味着它可以实现快速的开关速度,适合高频应用,提高了系统的响应速度和效率。

    - 热阻(Rth):P3606BD具有较低的热阻特性,通常为1.0°C/W。这一参数确保了在高功率应用中有效的散热管理,延长了器件的使用寿命,保证了系统的可靠运行。

    综上所述,P3606BD以其优异的性能和广泛的应用场景,成为现代电子电路中不可或缺的元件。无论是在电源管理、电机驱动、消费电子、LED照明还是通信设备中,P3606BD都能提供可靠的解决方案,满足不同应用的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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