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场效应MOS管P2804BDG参数

PD最大耗散功率:32WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.042ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    P2804BDG是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于多个电子和电气领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:P2804BDG常用于电源管理电路中,特别是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其高效能和低导通电阻使其在高效率电源设计中非常受欢迎。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,P2804BDG被广泛使用。其快速开关特性和高电流处理能力使其能够有效地控制电机的启动和停止。

    3. 消费电子产品:P2804BDG在各种消费电子产品中都有应用,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑。这些设备需要高效的电源管理,而P2804BDG的低功耗特性能够满足这些需求。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,P2804BDG作为关键组件,用于转换和调节太阳能电池板产生的电力。其高耐压和高电流处理能力确保了系统的稳定性和效率。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,P2804BDG用于控制各种机械设备和传感器。其高可靠性和耐用性使其在恶劣的工业环境中表现出色。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:P2804BDG具有60V的最大漏源电压(Vds)和40A的最大连续漏极电流(Id),这使得它能够处理高电压和大电流应用,适用于各种高功率电路设计。

    - 导通电阻:P2804BDG的典型导通电阻(Rds(on))低至0.009Ω(在10V栅源电压下),这意味着在导通状态下的功率损耗非常低,能够提高整体电路的效率。

    - 开关速度:P2804BDG具有快速的开关特性,其典型的上升时间和下降时间分别为10ns和50ns,使其适用于高频开关应用,能够有效减少开关损耗。

    - 栅极电荷:P2804BDG的典型栅极电荷(Qg)为67nC,这表明其驱动功耗较低,有利于电路的能效优化,特别是在需要频繁开关的应用中。

    - 热性能:P2804BDG的结到外壳热阻(Rth(j-c))为0.75°C/W,这使其能够有效散热,适合在高功率密度应用中使用,确保长时间工作下的稳定性和可靠性。

    综上所述,P2804BDG以其出色的电气性能和广泛的应用场景,在现代电子设计中占据重要位置。从电源管理到工业自动化,从消费电子到太阳能逆变器,P2804BDG凭借其高效、可靠和耐用的特点,成为工程师们设计高性能电路的不二选择。无论是高电流处理能力还是低导通电阻,P2804BDG都展示了其作为一款顶级MOSFET的实力。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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