PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.0029ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:P25B6EB通常用于电源开关、DC-DC转换器和电池保护电路中。由于其低导通电阻和高效率,它可以有效地减少能量损耗,提高系统的整体效率。
2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,P25B6EB凭借其快速开关速度和高电流处理能力,可以提供精确的电流控制和保护。
3. 负载开关:P25B6EB适用于各种类型的负载开关,包括照明系统、加热器和其他大功率负载。其高耐压特性确保了在高电压环境下的稳定性和可靠性。
4. 消费电子:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,P25B6EB用于电源管理和保护电路,确保设备的长时间稳定运行。
5. 汽车电子:P25B6EB在汽车电子系统中应用广泛,如电子控制单元(ECU)、传感器和其他控制模块。其高耐温和高可靠性特点,使其非常适合汽车工业的严苛要求。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):P25B6EB的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆范围内。这意味着在导通状态下,电流通过MOS管时的电压降和功率损耗非常小,从而提高了整体系统的效率。
- 高击穿电压(VDS):P25B6EB的击穿电压高达100V,使其能够在高电压环境下稳定工作,不容易因为过压而损坏。
- 大电流处理能力(ID):P25B6EB能够处理高达30A的连续电流,非常适合需要处理大电流的应用场景,如电机驱动和电源管理。
- 快速开关速度:P25B6EB具有快速的开关特性,这对于高频开关电路非常重要。其开关时间通常在纳秒级别,确保了电路的快速响应和高效运行。
- 高可靠性:P25B6EB具有高可靠性和长使用寿命,能够在高温、高压和高电流等苛刻条件下长期稳定工作。这使得它在要求严格的应用中,如汽车电子和工业控制中,表现出色。
综上所述,P25B6EB是一款性能卓越的场效应MOS管,适用于各种需要高效率、高可靠性和高性能的电子设备和电路中。其低导通电阻、高击穿电压、大电流处理能力、快速开关速度和高可靠性,使得它在众多应用场景中发挥着重要作用。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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