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场效应MOS管P2504BDG参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.045ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    P2504BDG是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:P2504BDG常用于电源管理系统中,特别是在开关电源和直流-直流转换器中。由于其低导通电阻和高效率特性,它可以有效降低能量损耗,提高整个系统的效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动控制电路中,P2504BDG发挥着重要作用。其高电流承载能力和快速开关速度,使其非常适合用于需要精确控制的电机驱动应用中,如无人机、电动工具和家用电器。

    3. 负载开关:P2504BDG也被广泛用于负载开关应用中。其低导通电阻和高可靠性,使其能够高效地控制大电流负载,常用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,P2504BDG被用作关键开关元件。其高效率和低能耗特点,能够提高太阳能系统的整体转换效率,减少热量产生,从而延长设备的使用寿命。

    5. 汽车电子:汽车电子系统中,P2504BDG常用于发动机控制单元、照明系统和其他电子控制模块中。其耐高温和高可靠性,确保了在恶劣的汽车环境中依然能够稳定工作。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:P2504BDG具有非常低的导通电阻,这使得它在大电流通过时能够显著减少能量损耗,提高系统的效率。

    - 高电流承载能力:该型号的MOSFET具有高电流承载能力,能够处理高达数十安培的电流,使其适用于高功率应用场景。

    - 快速开关速度:P2504BDG的开关速度非常快,这对需要快速响应的应用,如高频开关电源和电机控制,是一个重要的优势。

    - 耐高温性能:P2504BDG具备优异的耐高温性能,能够在高达150摄氏度的环境中稳定运行。这使其在汽车电子和工业控制等高温应用中表现出色。

    - 高可靠性:P2504BDG经过严格的质量控制和测试,具有高可靠性。它的设计和制造工艺确保了在长时间运行中依然能够保持稳定的性能,适用于对可靠性要求高的应用。

    综上所述,P2504BDG凭借其出色的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子设计工程师的首选器件。在电源管理、电机驱动、负载开关、太阳能逆变器和汽车电子等领域,P2504BDG都展示了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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