收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管P0603BD参数

场效应MOS管P0603BD参数

PD最大耗散功率:51WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    P0603BD是一种具有多种应用场景和参数特点的功率MOSFET。它广泛应用于各种电源管理、驱动和开关电路中,具有出色的性能和可靠性。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:P0603BD在各种类型的电源管理电路中发挥着重要作用。例如,它可以用作开关电源的开关管,控制电源的开关状态,实现电源的高效转换和稳定输出。

    2. 驱动电路:在各种驱动电路中,P0603BD也扮演着重要角色。它可以用作电机驱动器、LED驱动器等,提供高效的电力传输和可靠的驱动性能。

    3. 开关电路:作为MOSFET,P0603BD可用于各种开关电路中,包括开关模式电源、DC-DC转换器等,以实现高效能量转换和精确的电路控制。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:P0603BD具有低导通电阻特性,能够有效减少功率损耗,提高电路效率。

    2. 高耐压能力:该器件具有较高的耐压能力,能够在较高的电压下工作,适用于各种电源和驱动电路。

    3. 快速开关速度:P0603BD具有快速的开关速度,能够实现快速的电路响应和高频率操作。

    4. 低静态功耗:在关闭状态下,P0603BD具有较低的静态功耗,有助于节省能量和延长电池寿命。

    5. 温度稳定性:该器件具有良好的温度稳定性,能够在不同工作温度下保持稳定的性能,适用于各种环境条件。

    综上所述,P0603BD作为一种功率MOSFET,在电源管理、驱动和开关电路中具有广泛的应用。其低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度、低静态功耗和良好的温度稳定性等特点,使其成为各种电路设计的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号