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场效应MOS管NVD5867NL参数

PD最大耗散功率:3.3WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.039ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NVD5867NL是一款非常受欢迎的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在现代电子设备中,电源管理系统至关重要。NVD5867NL凭借其高效的开关性能和低导通电阻,常用于直流-直流转换器(DC-DC converter)和逆变器(Inverter)中。这些设备需要快速响应和高效能量转换,NVD5867NL能够提供稳定且高效的解决方案。

    2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):随着新能源汽车的普及,对高性能MOSFET的需求也在增加。NVD5867NL在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(Battery Management System, BMS)中扮演重要角色,帮助控制电池的充放电过程,提高整体系统的效率和安全性。

    3. 工业自动化:在工业控制系统中,可靠性和效率是关键。NVD5867NL用于电机驱动、电源控制和各种自动化设备中,能够确保设备的稳定运行并降低能耗。

    4. 消费电子产品:智能手机、笔记本电脑等消费电子产品对功耗和性能要求极高。NVD5867NL凭借其出色的电气特性,广泛应用于这些设备的电源管理模块,提升设备的性能和续航时间。

    5. 光伏系统:在太阳能光伏系统中,NVD5867NL用于功率优化器和微型逆变器,帮助将太阳能转换为电能并提高系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NVD5867NL的导通电阻非常低,典型值为4.7毫欧姆,这意味着在工作时能够减少功耗和发热,提升整体系统的效率。这一特性特别适合应用于高效能量转换和散热要求严格的场景中。

    - 高额定电流(ID):NVD5867NL能够承受高达80安培的连续漏极电流,这使得它非常适合高电流应用,如电机驱动和大功率电源管理。

    - 高击穿电压(VDS):NVD5867NL具有高达60伏的击穿电压,能够在高电压环境下稳定工作,保证设备的安全和可靠性。

    - 快速开关速度:NVD5867NL的开关速度非常快,能够在极短的时间内完成导通和关断。这对于需要快速响应的应用场景,如开关电源和高频率转换器,具有重要意义。

    - 热性能优越:NVD5867NL的热阻(Junction-to-Case Thermal Resistance)较低,约为0.85°C/W,这意味着在高功率应用中,它能够有效散热,确保晶体管在高温下也能稳定运行,延长设备寿命。

    综上所述,NVD5867NL凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景,成为电子工程师们的理想选择。在电源管理、电动汽车、工业自动化、消费电子和光伏系统等领域,NVD5867NL都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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