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场效应MOS管NTD6416AN参数

PD最大耗散功率:71WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.081ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD6416AN是一款N沟道功率MOSFET,常用于各种电力电子应用中。它具有高效的开关性能和低导通电阻,使其在多个应用场景中得以广泛应用。

    一、应用场景:

    1. 直流-直流转换器(DC-DC Converters):NTD6416AN在直流-直流转换器中非常常见,特别是降压(Buck)转换器和升压(Boost)转换器。这些转换器需要高效的开关器件来最小化能量损失,从而提高整体转换效率。NTD6416AN的低导通电阻和快速开关速度使其成为理想的选择。

    2. 电机控制(Motor Control):在电机控制应用中,NTD6416AN用于驱动各种类型的电机,如直流电机和无刷直流电机。其高电流处理能力和低开关损耗使得它能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节,从而提高系统的可靠性和效率。

    3. 电源管理系统(Power Management Systems):NTD6416AN被广泛应用于电源管理系统中,如不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)。这些系统要求MOSFET具有高效的电流处理能力和低损耗,以确保系统在各种负载条件下的稳定运行。NTD6416AN的性能特点满足了这些要求。

    4. 照明系统(Lighting Systems):在LED驱动器和智能照明控制系统中,NTD6416AN作为开关器件,用于控制LED灯的亮度和开关。其高效的开关性能和低热量产生,使得照明系统更加节能和可靠。

    5. 音频放大器(Audio Amplifiers):NTD6416AN也应用于音频放大器中,特别是D类放大器。它的快速开关速度和低导通电阻确保了音频信号的高保真度和放大器的高效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NTD6416AN的导通电阻非常低,典型值在4.7mΩ左右。这意味着在通过大电流时,能量损失最小,转换效率高,非常适合高效能的电力电子应用。

    - 高电流处理能力:NTD6416AN具有高达60A的连续漏极电流能力,这使其能够处理较大的负载电流,适用于需要高电流的应用场景,如电机驱动和电源管理系统。

    - 耐高压:这款MOSFET的漏源极耐压(VDSS)为30V,能够在较高电压环境下安全运行。这样的耐压特性使得NTD6416AN在需要较高耐压的应用中也能胜任。

    - 快速开关速度:NTD6416AN具有快速的开关速度,能够在高频率下稳定工作。这一特点使其在高频开关电源和高效DC-DC转换器中表现优异。

    - 热性能优越:NTD6416AN的热阻(RθJA)较低,这意味着它能够有效散热,减少工作温度,提升整体系统的可靠性和寿命。

    综上所述,NTD6416AN凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和优越的热性能,成为了电力电子领域中的一款优秀的N沟道功率MOSFET,广泛应用于直流-直流转换器、电机控制、电源管理系统、照明系统和音频放大器等多种场景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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