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场效应MOS管NTD6415AN参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:23AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.055ΩVRDS(ON)ld通态电流:23AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD6415AN是一款具有广泛应用场景的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。由于其优异的电气性能和可靠性,它在许多领域得到了广泛应用。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等电源管理系统中,NTD6415AN用于开关元件,其低导通电阻和快速开关速度使其在高效能量转换中发挥重要作用。

    2. 电机驱动:在电动汽车、家用电器和工业自动化设备中,NTD6415AN用作电机驱动器件。其高电流承载能力和低导通电阻能够有效减少能量损耗,提高系统效率。

    3. 负载开关:NTD6415AN也常用于负载开关应用中,例如在便携式设备和计算机外围设备中。其低导通电阻和良好的热管理能力使其能够处理高负载电流,确保设备的稳定运行。

    4. LED照明:在LED驱动电路中,NTD6415AN作为开关元件使用,能够提供稳定的电流输出,确保LED的亮度和寿命。其高效能和稳定性使其成为LED照明应用的理想选择。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,NTD6415AN用于逆变器部分,负责将直流电转换为交流电。其高效率和高可靠性有助于提高太阳能系统的整体性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NTD6415AN具有极低的导通电阻,典型值为0.0095欧姆。这使得其在工作时的能量损耗极低,从而提高了整体系统的效率。

    - 高电流承载能力:NTD6415AN能够承载高达64A的连续漏极电流(ID),这使其能够在需要大电流驱动的应用中胜任,例如电机驱动和电源管理系统。

    - 高击穿电压:NTD6415AN的击穿电压(VDSS)为30V,这意味着它可以在较高电压环境中工作而不会发生击穿,保证了其在各种复杂环境中的可靠性。

    - 快速开关速度:NTD6415AN的栅极电荷(Qg)典型值为25nC,使其能够实现快速开关。这对于需要高频开关的应用,如DC-DC转换器和电源管理系统,尤为重要。

    - 优异的热管理性能:NTD6415AN具有良好的热阻(RθJA),其结-环境热阻为62.5°C/W。这意味着它在高功率应用中能够有效散热,保证器件在高温环境中的稳定性和可靠性。

    综上所述,NTD6415AN凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为各类电子系统中的理想选择。其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、快速开关速度和优异的热管理性能,使其在电源管理、电机驱动、负载开关、LED照明和太阳能逆变器等应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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