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场效应MOS管NP90N03VHG参数

PD最大耗散功率:105WID最大漏源电流:90AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0032ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NP90N03VHG是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍NP90N03VHG的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:NP90N03VHG常用于电源管理系统,如DC-DC转换器和开关电源。其低导通电阻和高效率使其能够在高频率下有效地转换电能,减少热损耗,提高整体系统效率。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,NP90N03VHG被用作开关元件。它能提供高电流处理能力和快速开关特性,确保电机运行的稳定性和效率,适用于电动汽车、工业自动化设备等领域。

    3. LED驱动:NP90N03VHG在LED照明驱动电路中也有广泛应用。其优异的开关性能和低导通电阻有助于提高LED驱动电路的效率和可靠性,延长LED的使用寿命。

    4. 消费电子:NP90N03VHG在消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源管理模块中被广泛使用。其高效能和低功耗特性使其成为这些便携式设备中不可或缺的组件。

    5. 通信设备:在通信基站和网络设备中,NP90N03VHG被用来管理和分配电能,确保设备的可靠运行。其高效率和可靠性在这些关键应用中发挥了重要作用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NP90N03VHG具有极低的导通电阻(RDS(on)),在典型条件下为0.0095欧姆。这意味着在高电流情况下,损耗较低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:NP90N03VHG的最大连续漏极电流(ID)为90安培,能处理较大的电流需求,适用于高功率应用场景。

    - 耐高压:NP90N03VHG的漏源击穿电压(VDSS)为30伏特,能够承受较高的电压,适用于多种电压等级的应用。

    - 快速开关速度:NP90N03VHG具有快速的开关速度,其典型的开关时间仅为几纳秒。这使得它在高频应用中表现出色,如高频开关电源和DC-DC转换器。

    - 优异的热性能:NP90N03VHG具有出色的热性能,其最大结温(TJ)可达175摄氏度。这使得它在高温环境下仍能稳定工作,保证了设备的可靠性和寿命。

    综上所述,NP90N03VHG凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度以及优异的热性能,成为各类电子设备中不可或缺的关键组件,广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动、消费电子和通信设备等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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