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场效应MOS管NP60N03SUG参数

PD最大耗散功率:105WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0038ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NP60N03SUG是一款在电子行业中广泛应用的N沟道MOSFET(场效应晶体管),具有优良的电性能和可靠性,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。本文将详细介绍NP60N03SUG的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NP60N03SUG常用于各类电源管理系统中,包括DC-DC转换器和电源适配器。它能够有效地控制电流的流动,提高系统的能效和稳定性。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,NP60N03SUG作为开关元件,能够提供稳定的高电流输出,确保工具的强劲动力和长时间工作能力。

    3. 电机驱动:由于其优异的电流处理能力,NP60N03SUG被广泛应用于各种电机驱动电路中,能够精确控制电机的启停和速度调节,提高设备的性能和可靠性。

    4. 汽车电子:NP60N03SUG在汽车电子领域也有广泛应用,如车载充电器、灯光控制系统等。它能够承受较大的电流和电压,确保汽车电子系统的稳定运行。

    5. 消费电子:诸如智能手机、笔记本电脑和其他便携式设备,NP60N03SUG常用于其电源管理模块中,提供高效的电能转换和分配。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NP60N03SUG的典型导通电阻为8毫欧(mΩ),在较低的电压下即可实现高效的电流传输,降低了功率损耗,提高了系统效率。

    - 高电流处理能力:该器件的最大连续漏极电流为60安培(A),能够处理大电流应用需求,适用于高功率设备和系统。

    - 耐高压能力:NP60N03SUG的漏源击穿电压为30伏特(V),这使其能够在较高电压条件下稳定工作,适应多种复杂的应用环境。

    - 快速开关速度:由于其低的栅极电荷和快速的开关速度,NP60N03SUG能够显著提高电路的响应速度,适用于高频开关电路,减少了开关损耗。

    - 高可靠性:NP60N03SUG经过严格的测试和质量控制,具有高可靠性和长寿命,能够在苛刻的环境条件下稳定工作,确保系统的长期稳定性。

    综上所述,NP60N03SUG作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压能力、快速开关速度和高可靠性,成为众多电源管理、电动工具、电机驱动、汽车电子和消费电子产品中的关键组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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