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场效应MOS管NP55N04SUG参数

PD最大耗散功率:77WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0065ΩVRDS(ON)ld通态电流:28AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NP55N04SUG是一款常用于各种电子电路中的场效应管(MOSFET)。它的应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NP55N04SUG广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)等电源管理系统中。其低导通电阻和高效能特性使其在这些应用中表现出色,能够有效减少功耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电动工具、电动车控制器和家用电器的电机驱动电路中,NP55N04SUG常被用作开关器件。其高电流处理能力和耐高压特性使其能够稳定控制电机运行,提供可靠的驱动能力。

    3. 音频放大器:在音频放大器电路中,NP55N04SUG作为输出级功率管,能够提供大功率输出,确保音频信号的高保真度和低失真度。

    4. 照明系统:NP55N04SUG在LED照明驱动电路中发挥着重要作用,尤其是在高效节能的LED驱动电源中。它能提供稳定的电流控制,提高LED的使用寿命和光效。

    5. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,NP55N04SUG用于电池管理和电源开关电路,确保设备的高效运行和电池寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NP55N04SUG的典型导通电阻为55毫欧姆(mΩ),这种低导通电阻特性使其在高电流通过时产生的功率损耗较小,从而提高了电路的整体效率。

    - 高电流处理能力:NP55N04SUG能够处理高达40安培(A)的连续电流和160安培(A)的脉冲电流,适用于大电流需求的应用场景。

    - 耐高压特性:该型号具有40伏(V)的击穿电压(Vds),确保其在高压环境下的稳定运行,适应不同的应用需求。

    - 快速开关速度:NP55N04SUG具有低栅极电荷和快速开关速度的特点,使其在高频开关电路中能够快速响应,减少延迟,提高效率。

    - 耐热性能:该型号具有良好的热性能,最大结温(Tjmax)可达175°C,能够在高温环境下稳定工作,确保可靠性和寿命。

    通过以上详细分析,NP55N04SUG展现了其在电源管理、电机驱动、音频放大、照明系统以及消费电子产品中的广泛应用,并且其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性、快速开关速度和良好的耐热性能使其成为许多电子电路中的优选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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