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场效应MOS管NP36P04SDG参数

PD最大耗散功率:56WID最大漏源电流:-36AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.017ΩVRDS(ON)ld通态电流:-18AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    NP36P04SDG是一种高性能的N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NP36P04SDG常用于电源管理系统,特别是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。这些系统需要高效的电流切换和低导通电阻,以减少能量损耗,提高整体系统的效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电动螺丝刀等中,NP36P04SDG作为开关元件能够提供高效的电流控制,确保工具在高负载下稳定运行,同时延长电池寿命。

    3. 汽车电子:现代汽车中越来越多的电子系统需要高效、可靠的功率开关。NP36P04SDG被广泛应用于汽车照明系统、电动座椅调节、电动窗和电子控制单元(ECU)中,保证系统的快速响应和低热量产生。

    4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,NP36P04SDG被用作电机驱动器和继电器,提供高效的电流开关和控制能力。这对于确保工业设备的精确操作和减少维护成本至关重要。

    5. 消费电子:在消费电子如智能手机、笔记本电脑和平板电脑中,NP36P04SDG作为电源管理和保护电路的一部分,帮助设备实现更长的电池续航时间和更高的性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NP36P04SDG具有非常低的导通电阻,这意味着在开关状态下,器件的电压降非常小,从而减少了功率损耗,提高了系统的效率。例如,其典型的导通电阻为4mΩ,这在功率MOSFET中是相当低的。

    - 高击穿电压(V(BR)DSS):NP36P04SDG的击穿电压为40V,适用于各种高压应用场景,确保在高电压条件下依然可以稳定运行,不容易损坏。

    - 高脉冲电流能力(ID):NP36P04SDG的连续漏极电流能力为36A,脉冲电流能力更高,这使得它能够处理突发的高电流需求,非常适合需要高瞬态电流的应用。

    - 快速开关速度:NP36P04SDG具有极快的开关速度,通常在纳秒级别。这对于开关电源和高频应用非常重要,因为快速开关能够减少转换时间,降低开关损耗,提高整体效率。

    - 热性能优越:NP36P04SDG具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其结温范围为-55°C到+175°C,确保在极端温度条件下依然可靠运行。此外,器件的热阻较低,有助于更有效地散热。

    综上所述,NP36P04SDG是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种环境,从消费电子产品到工业级应用。其卓越的电流控制能力和高效的热管理性能使其成为理想的选择。无论是在电源管理、电动工具、汽车电子、工业控制还是消费电子中,NP36P04SDG都能够提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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