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场效应MOS管NDP603AL参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NDP603AL是一款常见的N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:NDP603AL常用于开关电源和DC-DC转换器中,帮助提高电源效率并减少能量损耗。其低导通电阻特性使其在高效能电源管理中表现出色。

    2. 电机驱动:在各种电机控制应用中,NDP603AL作为开关元件,用于驱动直流电机和无刷电机。这些应用需要MOSFET具备高开关速度和高可靠性。

    3. 电池保护电路:在锂离子电池和其他可充电电池的保护电路中,NDP603AL可以用来实现过流保护和过压保护,确保电池安全和设备的长时间稳定运行。

    4. 照明系统:LED驱动电路中,NDP603AL用作开关元件,控制电流流过LED,从而调节亮度和实现高效节能照明。

    5. 通信设备:在无线通信和网络设备中,NDP603AL用于调节和稳定电源,确保信号传输的稳定性和设备的正常运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NDP603AL的导通电阻(RDS(on))非常低,这意味着在开通状态下,电流通过MOSFET时产生的压降小,从而减少了功率损耗。这对于高效电源管理和热管理非常重要。

    - 高击穿电压:NDP603AL具有较高的击穿电压(VDSS),通常在60V左右。这使其能够在高压应用中稳定工作,适应各种复杂的工作环境。

    - 大电流能力:NDP603AL能够承受较大的电流,这使得其适合用于需要高电流驱动的应用,如电机控制和大功率电源管理。

    - 快速开关速度:NDP603AL具备极快的开关速度(低栅极电荷Qg),能够在高频应用中有效工作,提高整体电路的效率和响应速度。

    - 耐高温性能:NDP603AL具有良好的热稳定性和耐高温性能,通常可以在高达150°C的结温下工作。这对于需要在恶劣环境中运行的应用特别重要,如工业控制和汽车电子。

    综上所述,NDP603AL凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流能力、快速开关速度和耐高温性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、照明系统和通信设备等领域。这些特点使其成为众多高效能和高可靠性应用的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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