PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:75V(BR)DSS漏源击穿电压:50VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:37.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源、直流转换器和逆变器等电源管理系统中,NDB7052凭借其低导通电阻和高效能,能够显著提高系统的转换效率和稳定性。
2. 电动汽车:在电动汽车的驱动系统中,NDB7052的高电流承载能力和高可靠性,使其成为控制电动机和管理电池能量传输的重要元件。
3. 消费电子产品:包括笔记本电脑、智能手机和平板电脑等设备中,NDB7052可以有效降低功耗,延长电池寿命,同时提升设备的性能。
4. 工业自动化:在工业控制系统中,NDB7052用于驱动电机、控制阀门和管理电源,可以提高系统的响应速度和精确度。
5. 通信设备:在基站、路由器和交换机等通信设备中,NDB7052提供了高效能的功率转换和信号放大能力,确保设备的高效运行和稳定性能。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):NDB7052的导通电阻极低,通常在几个毫欧范围内。这意味着在高电流通过时,功耗较低,热量产生也较少,能够显著提高设备的能效。
- 高电流承载能力:NDB7052的最大连续漏极电流(ID)可以达到较高水平,适合大电流应用,确保设备在高负载情况下依然稳定运行。
- 高击穿电压:NDB7052的漏源击穿电压(VDS)较高,通常可达数十至上百伏。这使得它可以在高压环境中安全工作,广泛应用于电源管理和电力传输系统中。
- 快速开关速度:NDB7052的栅极电荷(Qg)较低,开关速度快。这对于需要频繁切换的电源管理和通信设备来说,是一个重要的性能指标,能够提高系统的整体效率。
- 热性能优越:NDB7052采用先进的封装技术,具有良好的散热性能。这确保了器件在高功率、高温环境下依然能够稳定运行,延长其使用寿命。
综上所述,NDB7052是一款性能优越、适用范围广泛的MOSFET器件,能够满足现代电子设备和系统对高效能、高可靠性的需求。
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