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场效应MOS管NDB7050参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:50VRDS(ON)Ω内阻:0.013ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NDB7050是一款性能卓越的功率MOSFET,广泛应用于多个电子领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,NDB7050的高效能和低导通电阻使其成为理想的开关元件,能够有效减少能量损耗,提高整体效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,NDB7050具有快速开关速度和高耐压能力,可以精确控制电机的启停和转速,保证系统的可靠性和稳定性。

    3. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,NDB7050的高电流处理能力和低热阻特点,能够有效应对大电流和高温环境,提升逆变器的性能和寿命。

    4. 电动汽车:电动汽车对功率元件的要求极高,NDB7050凭借其高效能和耐用性,在电池管理系统和电机驱动中发挥重要作用,保障车辆的高效运行和安全。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,NDB7050可以应用于各种控制电路中,其稳定的性能和高可靠性使其在复杂的工业环境中依然能够表现出色。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NDB7050的导通电阻非常低,这意味着在相同电流下,它产生的能量损耗更少,有助于提高整体电路的效率和减少发热量。

    - 高电流处理能力:NDB7050能够处理高达75A的电流,这使其在需要大电流传输的应用中非常适合,如电机驱动和开关电源。

    - 高耐压能力:NDB7050具有80V的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种需要高电压驱动的场合。

    - 快速开关速度:NDB7050的开关速度快,开关时间仅为几纳秒,这使其能够在高频率应用中提供优异的性能,减少开关损耗。

    - 低热阻:NDB7050的热阻低,封装设计有效降低了热量积聚,保证了器件在高功率条件下的可靠性和寿命。

    综上所述,NDB7050是一款性能优异且应用广泛的功率MOSFET,适用于各种需要高效率、高可靠性和高耐用性的电子设备。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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