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场效应MOS管NDB6030PL参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:-30AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.042ΩVRDS(ON)ld通态电流:-19AVRDS(ON)栅极电压:-4.5VVGS(th)V开启电压:-1~-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    NDB6030PL是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和功率转换场景。它具备低导通电阻、高效率和可靠性等优点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理模块:NDB6030PL常用于电源管理模块(Power Management Modules, PMM)中,特别是在服务器和数据中心的电源系统中。它的高效能和低损耗使其非常适合用于需要稳定电压输出和高效能量转换的场合。

    2. 电机控制系统:在电机控制系统中,NDB6030PL可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和转速调节。其低导通电阻特性减少了能量损耗,提高了系统的整体效率。

    3. 逆变器:在光伏和风力发电系统的逆变器中,NDB6030PL被广泛应用。它能有效地将直流电转换为交流电,保证高效的能源利用。

    4. DC-DC转换器:NDB6030PL适用于DC-DC转换器的设计,用于提高转换效率和减少热损耗,特别是在移动设备和便携式电子产品中。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和可再生能源存储系统的电池管理系统中,NDB6030PL的高效能和稳定性保证了电池的安全性和使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NDB6030PL的导通电阻非常低,典型值仅为4.2mΩ。这使得其在高电流通过时损耗更低,能量利用率更高。

    - 高电流处理能力:NDB6030PL具备高达90A的连续漏极电流处理能力,适合大功率应用,确保了其在高负载条件下的可靠性和稳定性。

    - 耐高压能力:其漏源极耐压值为30V,适合各种需要高电压保护的应用场合,如电源管理和电机控制系统。

    - 开关速度快:NDB6030PL具有极快的开关速度,减少了开关损耗,使其在高频应用中表现尤为出色,提升了整体系统效率。

    - 热性能优越:NDB6030PL采用先进的封装技术,具有良好的热管理性能,最大限度地降低了热阻,确保器件在高温环境下的稳定运行。

    综上所述,NDB6030PL作为一款高性能功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压和快速开关特性,被广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器、DC-DC转换器和电池管理系统等多种场景,展现了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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