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场效应MOS管NCE60P50K参数

PD最大耗散功率:95WID最大漏源电流:-50AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.028ΩVRDS(ON)ld通态电流:-20AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    NCE60P50K是一款P沟道增强型MOSFET,适用于高效电源管理、电池管理和开关电源控制等领域。

    一、应用场景

    1.电源管理:NCE60P50K广泛应用于电源管理系统,特别适合小功率设备的断路器控制。低导通电阻可以有效降低功率损耗,提高功率转换效率。

    2.便携式设备:该MOSFET适用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备,以优化电池使用效率和延长电池寿命。

    3.电动工具及家用电器:NCE60P50K应用于电动工具及家用电器,提供高效的开关控制,保证设备稳定运行,提高能源效率。

    4.车辆电子:在车辆电子系统,特别是电动汽车电池管理系统中,NCE60P50K可用作电流路径调节器,以确保电池充电和放电时的高效能量转换。

    5.逆变器和太阳能系统:对于逆变器和太阳能电池板系统,NCE60P50K因其高效率和稳定性而成为理想的开关器件,有助于提高整个系统的能源效率。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:NCE60P50K具有低导通电阻,可以减少工作时的功率损耗,提高整体电路效率。这特别适合对效率要求较高的应用。

    - 更高的载流能力:该MOSFET的最大连续漏电流可以支持更高的负载,适应更高功率需求的应用场景。

    - 工作电压范围宽:NCE60P50K的工作电压范围为-50V,适合不同电压环境下的电源管理和开关控制,适应性强。

    - 快速开关性能:该MOSFET开关速度快,可有效支持高频开关,适用于需要快速响应的电路。

    - 优异的热稳定性:NCE60P50K具有优异的热稳定性,即使在高温下也能稳定工作。适合在温度波动较大的工业应用中使用。

    总体而言,NCE60P50K的低导通电阻、高电流能力、快速开关性能和出色的热稳定性使其成为许多高效电源管理系统和开关控制电路的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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