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场效应MOS管NCE6020AK参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NCE6020AK是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。它具有优异的性能、高效的开关控制和低导通电阻,非常适合需要高性能和低功耗的场景。

    一、应用场景

    1.管理设备:NCE6020AK可以有效管理设备的打开和关闭并降低功耗,适用于家用电器和移动设备,以降低功耗并提高系统效率。

    2.电池管理:该MOSFET适用于电池供电设备的电源管理,支持智能手机中的电流路径控制和电池切换,这在计算机和平板电脑等设备上尤其常见。

    3.DC-DC转换器:NCE6020AK可用于DC-DC转换器电路,提高转换效率,减少热损耗,非常适合设计高效率电源。

    4.电机驱动:对于小型电机控制系统,NCE6020AK可以提供强大的电源管理,用于电动工具、无人机和其他设备的电机驱动。

    5.反接保护:NCE6020AK作为反向电流保护器件,可用于防止因电源连接而损坏设备,适用于各种需要反接保护的电子设备。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:NCE6020AK极低的导通电阻可减少导通时的功耗,提高电路的整体效率,特别适合功耗敏感的应用场景。

    - 高电流容量:该器件的最大持续漏电流可达60A,其高电流容量保证了在需要大电流的情况下有足够的性能。

    - 更高的击穿电压:NCE6020AK的击穿电压为20V,适合低电压下的各种应用需求,提供灵活的应用可能性。

    - 快速开关速度:快速开关速度在需要频繁开关的应用中提供出色的响应性能,非常适合高效率开关电源和电机驱动电路。

    - 小型封装:NCE6020AK采用紧凑型封装,适用于空间受限的设备,提高了电路设计的灵活性和紧凑性。

    综上所述,NCE6020AK以其低导通电阻和高特性而闻名,其载流能力和快速开关速度在各种电子应用中提供了卓越的性能,是提高系统效率和降低功耗的完美之选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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