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场效应MOS管NCE30H15K参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:150AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.004ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NCE30H15K是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和优秀的参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应:NCE30H15K在开关电源和线性电源中,可以用作功率开关,实现高效的能量转换和电源管理。

    2. 电机驱动:在各种电机驱动系统中,如电动汽车、工业机械等,NCE30H15K可作为驱动器件,提供高效的功率放大和控制。

    3. 逆变器:在太阳能逆变器、电动车逆变器等领域,NCE30H15K能够提供稳定的输出,并实现对输入电压的有效转换。

    4. 照明应用:在LED照明系统中,NCE30H15K可用于驱动LED灯,实现高效能耗和光线调节。

    5. 电池管理:在充放电管理系统中,NCE30H15K可用于电池保护、充电控制等功能,确保电池安全可靠运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通压降(RDS(ON)):NCE30H15K具有低的导通压降,能够在工作时减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 高载流能力:NCE30H15K能够承受较高的电流负载,适用于各种高功率应用场景,保证系统稳定运行。

    3. 快速开关特性:NCE30H15K具有快速的开关速度,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高系统响应速度。

    4. 良好的热特性:NCE30H15K采用优质的材料和封装技术,具有良好的散热性能,可在高温环境下稳定工作。

    5. 可靠性:NCE30H15K经过严格的质量控制和可靠性测试,具有较高的可靠性和稳定性,适用于长期稳定运行的应用场景。

    综上所述,NCE30H15K作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用前景和优秀的参数特点,在各种电力电子应用中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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