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场效应MOS管NCE30H12K参数

PD最大耗散功率:120WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NCE30H12K是一种高性能的功率场效应晶体管,适用于多种电源管理和功率放大应用。其参数特点和应用场景如下:

    一、应用场景:

    1. 电源开关:NCE30H12K可用作电源开关,控制电路的开关状态,实现电源的高效转换和管理。在电源开关系统中,NCE30H12K能够提供稳定可靠的性能,确保系统的正常运行。

    2. 功率放大:由于其高性能特点,NCE30H12K也常用于功率放大电路中。通过合适的电路设计,它可以提供高功率放大倍数,并保持输出信号的稳定性,适用于音频放大、功率放大器等应用场景。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: NCE30H12K具有较低的导通电阻,能够在工作时降低功耗,提高效率。

    2. 高电压承受能力:该晶体管具有较高的电压承受能力,适用于高压环境下的应用,如电源管理系统中的高压转换。

    3. 快速开关速度:NCE30H12K具有快速的开关速度,能够实现快速的开关操作,减少开关过程中的能量损耗,提高系统的响应速度。

    4. 稳定的温度特性:该型号具有良好的温度特性,能够在不同温度环境下保持稳定的性能,确保系统的可靠性和稳定性。

    5. 可靠性高:NCE30H12K采用高品质材料和先进工艺制造,具有良好的可靠性和长寿命,适用于长期稳定运行的应用场景。

    在各种电源管理和功率放大应用中,NCE30H12K都能发挥重要作用,其优越的参数特点和可靠性保证了系统的高效运行和稳定性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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