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场效应MOS管NCE01P13K参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:-13AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:-16AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    NCE01P13K是一款P沟道增强型MOSFET,由于其高效率和可靠性而广泛应用于许多领域。

    一、应用场景

    1.负载开关:NCE01P13K在智能家居、消费电子和其他设备中用作负载开关,控制电源的开关行为,有助于减少待机时间,降低电能消耗,提高设备工作效率。

    2.电池管理:在便携式电池供电设备中,NCE01P13K作为电池管理系统的一部分,有效管理电流路径和电池切换,确保电池的长期使用和系统稳定运行。

    3.电动工具和电机驱动:该MOSFET也广泛应用于小型电动工具和电机驱动系统中,起到反向电流保护、开关控制和电流调节的作用。

    4.反向电流保护:由于其P沟道特性,NCE01P13K非常适合电源输入的反向电流保护,以防止电源反接或异常情况造成的电源损坏。

    5.信号切换和电源管理:在通信设备或微控制器系统中,NCE01P13K用于信号切换和电源管理,有助于实现不同电路之间的平滑切换。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:NCE01P13K具有低导通电阻,可显著降低导通时的功率损耗,提高整体电路效率,特别适合高效率设计要求。

    - 更高的电流容量:该MOSFET的最大连续漏电流为13A,可以承受更高的负载电流,因此可以在更高的温度下正常工作,适用于功率要求严格的应用。

    - 宽工作电压范围:NCE01P13K具有宽工作电压范围,适合-20V至-40V电源系统,在各种电压条件下工作可靠,灵活性高。

    - 开关速度快:该MOSFET开关速度快,可以支持高速开关,尤其适合需要频繁开关以保证器件稳定工作的电路。

    - 小型封装:NCE01P13K具有紧凑的外壳设计,适合在空间受限的电子设备中使用,从而可以使用更小的电路板并增加设计自由度。

    综上所述,NCE01P13K具有低导通电阻、高电流容量、快速开关特性和宽工作电压范围,是许多低功耗电子设备的理想选择。NCE01P13K可为电动工具和反向电流保护应用提供可靠的电源支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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