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晶体管MTD3055V参数

极性:NPNPCN(mw)功率:48wlc(mA)电流:12ABVCBO(V)集电极-基极电压:60VBVCEO(V)集电极-发射极电压:60VBVEBO(V)发射极-基极电压:20VhFE(min)最小放大倍数:hFE(max)最大放大倍数:

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    MTD3055V是一种常见的N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子电路中。下面将详细介绍MTD3055V的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:MTD3055V在开关电源中广泛应用,主要用于功率转换器和电源管理模块。它能够在高频率下高效工作,从而提高电源的整体效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等中,MTD3055V用于控制电机的开关,提供高电流和高功率处理能力,确保工具的稳定运行。

    3. 汽车电子:MTD3055V在汽车电子系统中应用广泛,包括电动窗、电动座椅和电子控制单元(ECU)等。它能够在苛刻的汽车环境中提供可靠的性能。

    4. 家用电器:例如在空调、洗衣机和冰箱等家用电器中,MTD3055V用于控制电机和加热元件,提供高效的电力控制。

    5. 照明设备:在LED照明系统中,MTD3055V用于驱动电路,控制LED的开关和调光,确保照明系统的高效节能。

    二、参数特点:

    - 电压和电流:MTD3055V的漏源极电压(V_DS)为60V,最大连续漏极电流(I_D)为12A。这使得它适用于中等功率的应用,能够处理较高的电流负载。

    - 低导通电阻:MTD3055V的导通电阻(R_DS(on))较低,典型值为0.07Ω。这意味着在导通状态下,它能提供较低的功率损耗,从而提高电路的整体效率。

    - 快速开关速度:MTD3055V具有快速的开关速度,开关时间短。这使得它在高频应用中表现出色,能够有效降低开关损耗。

    - 热性能:MTD3055V具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其结温(T_j)可达175°C,能够在苛刻的工作环境中提供可靠的性能。

    - 封装形式:MTD3055V采用TO-252封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合在各种复杂环境中使用。

    综上所述,MTD3055V是一种高性能的功率MOSFET,适用于多种电子电路和应用场景。其优异的电气性能和可靠的热特性,使其成为电子工程师在设计高效电源和控制电路时的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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