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场效应MOS管MDD3752RH参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-90AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.017ΩVRDS(ON)ld通态电流:-20AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    MDD3752RH是一款常见的功率场效应管(MOSFET),常用于各种电源管理和功率放大应用中。它的应用场景广泛,下面将详细介绍其主要的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:MDD3752RH在电源开关电路中扮演着重要角色。它能够有效地控制电路的开关,实现电源的稳定输出。

    2. 电机驱动:在电机驱动系统中,MDD3752RH能够提供足够的功率输出,控制电机的运转,适用于各种大小的电机。

    3. LED照明:对于LED照明应用,MDD3752RH提供了高效的功率控制,能够实现亮度调节和灯光效果的控制。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,MDD3752RH可以用于控制车辆的电源管理,以及驱动车辆中的各种电动设备。

    5. 太阳能逆变器:对于太阳能逆变器,MDD3752RH的高效能和稳定性能使其成为转换太阳能电能的理想选择。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):MDD3752RH具有低导通电阻,能够降低功率损耗,提高效率,在高功率应用中表现出色。

    2. 高电流承受能力:它能够承受较高的电流,适用于需要大功率输出的场合,如电机驱动和高功率LED照明。

    3. 低门电荷(Qg):MDD3752RH具有低的门电荷,响应速度快,能够提供快速的开关动作,有助于减少开关损耗。

    4. 温度稳定性:这款场效应管具有良好的温度稳定性,能够在广泛的温度范围内提供稳定的性能,适用于各种环境条件。

    5. 保护功能:MDD3752RH具有过压、过流、过温等多种保护功能,能够保护电路和器件免受损坏,提高系统的可靠性。

    综上所述,MDD3752RH具有广泛的应用场景和优秀的参数特点,是许多电源管理和功率放大应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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