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场效应MOS管MDD1904RH参数

PD最大耗散功率:35.8WID最大漏源电流:10.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    MDD1904RH是一款广泛应用于各种电子设备中的N沟道MOSFET,特别适用于高效能电源管理和开关电路。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:MDD1904RH常用于DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中。这种MOSFET能在高频率下高效运行,从而减少能量损失,提高整体电源转换效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,MDD1904RH因其高电流处理能力和低导通电阻,能够提供稳定的电流输出,确保工具在高负载下可靠运行。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,MDD1904RH用于电动机驱动和电池管理系统(BMS)。其耐高压特性使其能适应汽车电子环境的苛刻要求。

    4. 工业控制:在工业自动化设备中,MDD1904RH用于电机控制和变频器中,提供高效的电能转换和控制能力。

    5. 消费电子:MDD1904RH广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等消费电子产品的电源管理模块中,以延长电池寿命和优化能效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):MDD1904RH的导通电阻非常低,典型值为0.028Ω,这意味着在开关状态下的能量损耗很小,有助于提高电路效率并降低发热。

    - 高电流处理能力:MDD1904RH能够处理高达80A的连续电流,这使其特别适用于需要大电流驱动的应用,如电动工具和电动汽车。

    - 耐高压特性:MDD1904RH的最大漏源极电压(VDS)为40V,能够应对各种高压环境的需求,确保器件的可靠性和稳定性。

    - 快速开关速度:MDD1904RH具备极快的开关速度,典型的开关时间为几十纳秒。这有助于减少开关损耗,提高系统效率,尤其是在高频应用中表现尤为突出。

    - 热性能优越:MDD1904RH的结温范围为-55°C到175°C,具有良好的热稳定性和散热性能,能够在严苛的工作环境中稳定运行。

    综上所述,MDD1904RH凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,在各种高性能和高效率的电子设备中得到了广泛的应用。这款MOSFET的设计充分考虑了现代电子设备对高效率、稳定性和可靠性的要求,成为许多电源管理和驱动电路的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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