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场效应MOS管MDD1504RH参数

PD最大耗散功率:20.8WID最大漏源电流:31.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0127ΩVRDS(ON)ld通态电流:13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.3~2.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    MDD1504RH是场效应MOS管,在电子和电气工程领域有着广泛的应用。作为一种常见的功率MOSFET,MDD1504RH在各种电路设计中发挥了重要作用。下面详细说明其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:MDD1504RH常用于开关电源中的开关元件。它的高效能和快速开关特性使其能够在高频率下工作,减少了能量损耗,提高了电源的转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,MDD1504RH能够控制电流的通断,调节电机的转速和方向。其低导通电阻和高电流处理能力,使其在工业和消费电子中的电机驱动电路中表现出色。

    3. DC-DC转换器:MDD1504RH适用于DC-DC转换器的设计中。其高频操作能力和低损耗特性,使其在转换器中能够有效地转换电压,提供稳定的输出电压。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,MDD1504RH用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效能和可靠性使其在太阳能应用中非常受欢迎。

    5. 音频放大器:MDD1504RH也可用于音频放大器电路中,作为功率放大元件。其优异的线性度和低噪声特性,使其能够提供高保真的音频输出。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):MDD1504RH具有极低的导通电阻,这意味着在导通状态下,电流通过时产生的电压降和功耗都很低。这有助于提高系统的整体效率,特别是在高电流应用中。

    - 漏极-源极电压(VDSS):MDD1504RH的漏极-源极电压额定值为150V,这使得它可以在较高电压环境下工作,适用于各种高压应用场合。

    - 连续漏极电流(ID):MDD1504RH的最大连续漏极电流额定值为50A。这表明它能够处理大电流,适用于需要高电流处理能力的应用,如电机驱动和电源管理。

    - 栅极电荷(Qg):MDD1504RH的栅极电荷较低,这意味着驱动电路不需要提供过高的电荷来开关MOSFET,从而降低了驱动功耗和提高了开关速度。

    - 热阻(RθJA):MDD1504RH具有良好的热阻性能,确保在高功率工作时能够有效散热,保持元件的稳定性和寿命。

    综上所述,MDD1504RH作为一种高效能、高可靠性的场效应MOS管,其在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、太阳能逆变器和音频放大器等多个应用场景中表现出色。其低导通电阻、高电压额定值、大电流处理能力、低栅极电荷以及良好的热阻性能,使其成为电子设计工程师们的首选元件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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