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场效应MOS管MDD1503RH参数

PD最大耗散功率:59.5WID最大漏源电流:87.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0047ΩVRDS(ON)ld通态电流:22AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.3~2.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    MDD1503RH是一个场效应MOS管,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:MDD1503RH常用于开关电源电路中,因其具有高效能和快速切换速度,使得电源转换效率大大提高。

    2. 电机驱动:在电动机控制系统中,MDD1503RH因其低导通电阻和高电流承载能力,能够提供稳定可靠的电流驱动。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,MDD1503RH能够承受高电压和高电流,确保逆变器的高效运行。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,MDD1503RH用于保护电池并优化充电过程,延长电池寿命。

    5. 照明设备:LED驱动电路中,MDD1503RH的高效能和低功耗特性,能有效降低能耗,延长设备使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):MDD1503RH的低导通电阻确保了在高电流通过时的低功耗,减少热损耗,提高效率。

    - 高击穿电压:MDD1503RH能够承受较高的电压(通常在100V以上),适用于各种高电压应用场景。

    - 高电流承载能力:MDD1503RH能够承载较大的电流(典型值在20A以上),使其在高功率应用中表现优异。

    - 快速切换速度:MDD1503RH的快速切换速度减少了开关损耗,适用于高频率的开关电路。

    - 热性能优越:MDD1503RH具有良好的热管理特性,能够在高温环境下稳定工作,减少热量积聚,保证长期可靠运行。

    综上所述,MDD1503RH以其高效能、低功耗、高电流承载能力和优越的热性能,在开关电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统和照明设备等多个领域中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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