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场效应MOS管KP8N60D参数

PD最大耗散功率:73.5WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.58ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    KP8N60D是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其应用场景广泛,适用于多种电子设备和电力转换器。本文将详细说明KP8N60D的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:KP8N60D常用于电源管理系统中,尤其是在开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中。这种MOSFET能够有效地控制电流的开关,从而提高电源的效率和稳定性。

    2. 电动工具:由于KP8N60D具有高电流承载能力和低导通电阻,它在电动工具的电机驱动电路中得到了广泛应用。它能够提供稳定的功率输出,确保电动工具的高效运行。

    3. 家用电器:在洗衣机、冰箱等家用电器中,KP8N60D被用于电机控制和电源管理。这种MOSFET能够提高家电的能效,减少能源消耗。

    4. 汽车电子:KP8N60D在汽车电子设备中也有应用,如在汽车音响系统和电动窗控制电路中。其高耐压和高电流处理能力使其在苛刻的汽车环境中表现出色。

    5. 工业控制:在工业控制系统中,KP8N60D用于驱动电机和控制机械设备。它的高可靠性和长寿命使其成为工业应用的理想选择。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:KP8N60D的耐压值为600V,这使得它能够在高压环境下稳定工作,适合需要高电压操作的应用场合。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻仅为0.75Ω,低导通电阻意味着在工作时能量损耗小,效率高,发热量低,这对需要长时间稳定工作的设备尤为重要。

    - 高电流承载能力:KP8N60D的最大连续漏极电流为8A,这意味着它能够处理较大的电流负载,适用于大功率应用。

    - 快速开关速度:这种MOSFET具有较快的开关速度,这对于需要快速响应的电源转换器和电机控制电路非常重要。快速的开关速度能够提高系统的整体效率和性能。

    - 强抗干扰能力:KP8N60D具有良好的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中保持稳定的工作状态。这使得它在工业和汽车电子领域具有优势。

    综上所述,KP8N60D是一款性能卓越的N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、电动工具、家用电器、汽车电子和工业控制等多个领域。其高耐压、低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和强抗干扰能力,使其成为各种高要求应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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