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场效应MOS管IRLW530A参数

PD最大耗散功率:62WID最大漏源电流:14V(BR)DSS漏源击穿电压:100AVRDS(ON)Ω内阻:0.12ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRLW530A是一款广泛应用于功率MOSFET领域的高性能器件。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:IRLW530A在电源管理系统中广泛用于提高效率和减少能量损耗。

    2. 电动工具驱动:作为电机驱动的关键元件,IRLW530A确保了电动工具的高效性能。

    3. 工业自动化:在自动化控制系统中,IRLW530A能够承受复杂工作环境下的高压和高温。

    4. 电机控制:用于各种类型的电机控制器中,IRLW530A提供可靠的功率开关解决方案。

    5. 汽车电子:在车辆电子系统中,IRLW530A用于发动机控制单元(ECU)和其他关键电子设备。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:IRLW530A具有极低的导通电阻,有效降低功率损耗。

    2. 高开关速度:优异的开关速度确保在高频率操作下仍能维持稳定性能。

    3. 良好的热特性:能够在高温环境下稳定工作,适合工业应用的需求。

    4. 高效能转换:IRLW530A能够有效地管理电源转换,提高能源利用率。

    5. 可靠性:长时间稳定运行,适应各种苛刻的工业和汽车应用场景。

    综上所述,IRLW530A作为一款性能卓越的功率MOSFET,不仅在多个应用场景中表现出色,其优异的参数特点也使其成为电子工程师和设计师首选的元件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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