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场效应MOS管IRLR8726参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:86AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0058ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.35~2.35VVGS(th)ld(μA)开启电流:25μA

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    IRLR8726是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于高效电路和电源管理系统。它们具有优异的开关性能和低导通电阻,适用于要求高性能和可靠性的现代电子设备。

    一、应用场景

    1.电源管理:IRLR8726广泛应用于电源转换器和稳压模块。它可以作为电源管理电路中的开关元件,有效控制电流并提高能源效率。

    2.工具和家用电器:该MOSFET广泛应用于电动工具和家用电器中,以驱动电机或其他高负载组件。它们的高电流容量使其非常适合用于这些高功率应用。

    3.电池管理系统:在便携式电池供电设备中,IRLR8726用于电池管理系统来控制充电和放电过程。

    4.智能汽车和电动汽车:在电动汽车或其他电动汽车电源系统中,IRLR8726充当高效断路器来控制电池和电机电流。

    5.功率放大器:此MOSFET也用于音频设备的功率放大电路中,提供稳定的输出功率,保证音频系统的高性能和稳定性。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:IRLR8726的低导通电阻可降低导通期间的功耗,提高整体电路效率。特别适合高频开关应用。

    - 高电流容量:IRLR8726具有高电流容量,可处理高达连续漏电流,非常适合高负载应用。

    - 宽工作电压范围:该MOSFET支持宽工作电压范围,适应不同的电压要求,提供更大的灵活性。

    - 开关速度快:IRLR8726具有优异的开关速度,对控制信号响应快速,有效支持高频大功率电路运行。

    - 低栅极电荷:IRLR8726的低栅极电荷可降低驱动器电路功耗并提高开关效率。

    总的来说,IRLR8726基于其低导通电阻和高载流能力,在多个领域展现出优异的性能,广泛应用于电源管理、电动工具、电池管理等场合。它是现代电子电路的重要组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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