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场效应MOS管IRLR8259参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:57AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0087ΩVRDS(ON)ld通态电流:21AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.35~2.35VVGS(th)ld(μA)开启电流:25μA

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    IRLR8259是一种低导通电阻、低门极电荷的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在DC-DC转换器和稳压器中,IRLR8259用于开关调节,提供高效的电源管理。它的低导通电阻减少了功耗,提高了系统效率。

    2. 电机驱动器:在电动工具和家用电器中,IRLR8259作为电机驱动器的核心元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性使得电机运行更加平稳。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,IRLR8259用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电。它的高效能和可靠性确保了太阳能系统的稳定运行。

    4. 电池保护电路:在锂离子电池保护电路中,IRLR8259用于防止过充、过放电和短路,保护电池的安全和寿命。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRLR8259用于控制灯光、音响系统和其他辅助设备,提升车辆的整体性能和安全性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):IRLR8259的典型导通电阻仅为10毫欧姆左右,这意味着在开关状态下,电流通过器件时的功率损耗非常低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:IRLR8259可以处理高达42安培的连续电流,这使得它非常适合高电流应用,如电动工具和汽车电子。

    - 低门极电荷(Qg):IRLR8259的门极电荷非常低,约为13纳库仑,这使得其在开关时所需的能量非常小,能够实现快速开关,减少延迟和功耗。

    - 耐高压能力:IRLR8259能够承受高达30伏的漏极-源极电压,这使得它可以在较高电压环境中可靠运行,适用于各种电源管理和转换器应用。

    - 封装形式:IRLR8259采用TO-252封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在高功率应用中使用。

    综上所述,IRLR8259在其设计和制造中,充分考虑了高效能、可靠性和多样化应用需求,使其成为许多现代电子设备中的关键组件。这些特点使得IRLR8259在电源管理、电机控制和电池保护等领域发挥着不可替代的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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