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场效应MOS管IRLR8256参数

PD最大耗散功率:63WID最大漏源电流:81AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0057ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.35~2.35VVGS(th)ld(μA)开启电流:25μA

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    IRLR8256是一种N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,具有高效、可靠的特性。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:IRLR8256常用于DC-DC转换器和电源管理单元(PMU)中。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够高效地管理电源转换,减少能量损耗,提升系统效率。

    2. 电动工具和家用电器:在电动工具和各种家用电器中,IRLR8256被用作主开关元件。其高效的开关速度和耐高压特性,使得这些设备在高功率工作环境下依然能够稳定运行。

    3. 汽车电子:IRLR8256在汽车电子中有着广泛应用,尤其是在发动机控制单元(ECU)和电池管理系统(BMS)中。其高可靠性和耐高温性能,使得它非常适合用于严苛的汽车环境。

    4. 工业自动化:工业自动化设备,如PLC控制器和电机驱动器中,也经常使用IRLR8256。其稳定性和耐用性,确保了设备在长时间工作中的可靠运行。

    5. 通信设备:IRLR8256在通信设备中,如基站和路由器中,用于高效的电源管理和信号传输。其低损耗和高速度开关特性,有助于提高通信设备的性能和稳定性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:IRLR8256具有极低的导通电阻(R_DS(on)),典型值为12mΩ。这意味着它在导通状态下电能损耗很低,能够有效提高电路效率,特别适合用于低压高电流应用场景。

    - 击穿电压:IRLR8256的漏源击穿电压(V_DS)为30V。这使得它适用于各种需要中等电压处理能力的应用环境。

    - 最大连续漏极电流:在25°C环境温度下,IRLR8256能够承受的最大连续漏极电流(I_D)为54A。这一特性使其在高电流应用中表现出色,能够满足大功率设备的需求。

    - 栅极电荷:IRLR8256的总栅极电荷(Q_G)为13nC。这一参数表明其开关速度快,能够在高频应用中表现出色,适合用作高速开关元件。

    - 热阻:IRLR8256的结到壳热阻(R_θJC)为0.9°C/W。这一低热阻特性确保了其在高功率工作环境中能够有效散热,保持稳定的工作状态。

    通过上述详细分析,IRLR8256不仅在多种应用场景中表现优异,其参数特点也确保了其在实际应用中的高效性和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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