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场效应MOS管IRLR3717参数

PD最大耗散功率:89WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:0.004ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.55~2.45VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRLR3717是一种常用的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),在许多应用场景中都表现出色。以下是其应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电机控制系统:IRLR3717广泛应用于直流电机的控制系统中。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节,提升系统的整体性能和可靠性。

    2. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,IRLR3717凭借其快速开关特性和高效能转换能力,被广泛用于提升电源管理系统的效率,降低功耗。

    3. 照明系统:IRLR3717在LED照明驱动电路中表现出色。其高效的电流控制能力使其在恒流驱动和调光功能中得到广泛应用,确保LED灯具的亮度和寿命。

    4. 电池管理系统:在锂离子电池组的充放电管理中,IRLR3717以其低导通电阻和高电流处理能力,确保电池组的安全性和充电效率,延长电池的使用寿命。

    5. 自动化设备:自动化生产设备和工业控制系统中,IRLR3717的高效能和稳定性能使其成为驱动和控制部分的重要组件,提升设备的工作效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRLR3717的导通电阻(RDS(on))非常低,典型值为11mΩ。这意味着在高电流通过时,功率损耗较低,从而提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:IRLR3717的最大连续漏极电流(ID)可达35A,这使其在需要处理大电流的应用中表现出色,如电机驱动和电源管理系统。

    - 耐高压:IRLR3717具有较高的漏源极电压(VDS)额定值,为30V。这使其能够在较高电压环境下工作,适用于多种工业和消费类电子产品。

    - 快速开关速度:IRLR3717的开关速度非常快,具有较低的栅极电荷(QG),典型值为16nC。这使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗,提高了效率。

    - 封装类型:IRLR3717采用标准的TO-252封装,这种封装形式有助于散热,适合需要高功率处理能力的应用场景。此外,TO-252封装的安装便捷性也提高了设计和生产的效率。

    综上所述,IRLR3717凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和优良的封装形式,在电机控制、电源管理、照明系统、电池管理和自动化设备等领域表现出色,是许多电子和工业应用中不可或缺的重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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