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场效应MOS管IRL640A参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    IRL640A是一种常见的N沟道增强型功率MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度,广泛应用于各种电力电子领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,IRL640A常用作高频开关元件。其低导通电阻和快速开关特性使其能够有效降低开关损耗,从而提高电源效率。这对于需要高效率和低热量的电源设计尤为重要。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,IRL640A可用于控制电机的启动和运行。其高电流处理能力和耐高压特性使其非常适合用于驱动直流电机和步进电机。

    3. DC-DC转换器:IRL640A在DC-DC转换器中也有广泛应用。其快速的开关速度和低导通电阻有助于实现高效的电能转换,适用于便携式设备和通信设备的电源管理。

    4. 照明控制:在LED照明控制电路中,IRL640A可用作开关元件,其高效的开关特性有助于实现精确的亮度调节和高效能量利用。

    5. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,IRL640A常用作逆变开关元件。其高耐压和高电流特性能够满足逆变器对功率元件的严格要求,确保系统的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:IRL640A的导通电阻(R_DS(on))仅为0.18欧姆(最大值),这意味着在导通状态下,功率损耗较低,能够提高整个系统的效率。

    - 高电流处理能力:IRL640A的最大漏极电流(I_D)为18安培,这使得它能够处理较大的电流,适用于高功率应用。

    - 高耐压性:IRL640A的漏源极击穿电压(V_DSS)为200伏特,这使其能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高耐压特性的应用场景。

    - 快速开关速度:IRL640A具有极快的开关速度,其开关时间(包括上升时间和下降时间)非常短,这使其非常适合高频应用,有助于提高电路的整体性能。

    - 良好的热性能:IRL640A具有较低的热阻(R_θJC),其结壳热阻为1.6摄氏度每瓦特,确保在高功率操作下能够有效散热,维持器件的稳定性和可靠性。

    通过这些详细的应用场景和参数特点的分析,可以看出IRL640A在多个领域都有着广泛的应用,其优异的电气性能和热性能使其成为功率电子设计中的理想选择。IRL640A的低导通电阻、高电流处理能力和高耐压特性确保了其在各种高效、高可靠性要求的应用中的卓越表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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